FQPF2N80 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.69 грн |
| 10+ | 111.57 грн |
| 100+ | 76.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF2N80 onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF2N80 за ціною від 55.29 грн до 196.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQPF2N80 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 800V N-Channel QFET |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQPF2N80 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 800V N-Channel QFET |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FQPF2N80 | Виробник : FAIRCHILD |
02+ |
на замовлення 1255 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| FQPF2N80 | Виробник : FAIRCHILD |
2002 TO-220F |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| FQPF2N80 | Виробник : FSC |
08+ SOP-24 |
на замовлення 220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
FQPF2N80 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
FQPF2N80 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
FQPF2N80 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 15nC On-state resistance: 6.3Ω Drain current: 0.95A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 35W Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |


