Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQPF2N80YDTU
FQPF2N80YDTU

FQPF2N80YDTU Fairchild Semiconductor

FAIRS45220-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
179+109.89 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF2N80YDTU Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF2N80YDTU за ціною від 58.94 грн до 194.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQPF2N80YDTU FQPF2N80YDTU onsemi fqpf2n80ydtu-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.50 грн
50+93.04 грн
100+83.92 грн
500+63.76 грн
1000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80YDTU FQPF2N80YDTU onsemi / Fairchild FQPF2N80YDTU_D-2313683.pdf MOSFET QF 800V 6.3OHM TO220F
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80YDTU fqpf2n80ydtu-d.pdf
FQPF2N80YDTU
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+194.50 грн
50+93.04 грн
100+83.92 грн
500+63.76 грн
1000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80YDTU FQPF2N80YDTU_D-2313683.pdf
FQPF2N80YDTU
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET QF 800V 6.3OHM TO220F
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.