
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 162.22 грн |
10+ | 120.14 грн |
250+ | 98.58 грн |
500+ | 61.06 грн |
1000+ | 51.79 грн |
10000+ | 50.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF33N10 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF33N10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FQPF33N10 |
![]() |
на замовлення 3300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
![]() |
FQPF33N10 Код товару: 42633
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||
![]() |
FQPF33N10 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FQPF33N10 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |