Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FQPF33N10L
FQPF33N10L

FQPF33N10L

fqpf33n10l-d.pdf
Код товару: 88710
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQPF33N10L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQPF33N10L FQPF33N10L onsemi / Fairchild FQPF33N10L_D-1809688.pdf MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 19653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10L FQPF33N10L ON Semiconductor 3671968182619537fqpf33n10l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10L FAIRCHIL fqpf33n10l-d.pdf 09+ SOT263
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10L ONSEMI 2907440.pdf Description: ONSEMI - FQPF33N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.039 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10L FQPF33N10L_D-1809688.pdf
FQPF33N10L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 19653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10L 3671968182619537fqpf33n10l-d.pdf
FQPF33N10L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10L fqpf33n10l-d.pdf
Виробник: FAIRCHIL
09+ SOT263
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10L 2907440.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF33N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.039 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.