
на замовлення 19653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 142.48 грн |
10+ | 126.91 грн |
100+ | 89.02 грн |
500+ | 72.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF33N10L onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF33N10L за ціною від 84.18 грн до 131.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF33N10L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
FQPF33N10L | Виробник : ONSEMI |
![]() Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 18 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 41 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 41 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FQPF33N10L | Виробник : FAIRCHIL |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
![]() |
FQPF33N10L Код товару: 88710
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||
![]() |
FQPF33N10L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
FQPF33N10L | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |