Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQPF3N50C
FQPF3N50C

FQPF3N50C Fairchild Semiconductor

FAIRS28505-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 20381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
398+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 398
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF3N50C Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO220F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FQPF3N50C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF3N50C Виробник : FAIRCHILD FAIRS28505-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 06+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.