FQPF3N80 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 263+ | 77.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF3N80 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 900mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FQPF3N80 за ціною від 89.18 грн до 107.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQPF3N80 | Виробник : ON Semiconductor |
FQPF3N80 |
на замовлення 1694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| FQPF3N80 | Виробник : ON Semiconductor |
FQPF3N80 |
на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| FQPF3N80 | Виробник : ON Semiconductor |
FQPF3N80 |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| FQPF3N80 | Виробник : FAIRCHILD |
2002 TO-220F |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
|
FQPF3N80 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
FQPF3N80 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 800V N-Channel QFET |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
FQPF3N80 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 800V N-Channel QFET |
товару немає в наявності |

