Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQPF3N80C
FQPF3N80C

FQPF3N80C ON Semiconductor

fqpf3n80c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF3N80C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF3N80C за ціною від 51.73 грн до 151.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : onsemi fqpf3n80c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.80 грн
50+68.87 грн
100+67.69 грн
500+59.39 грн
1000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf3n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
108+112.97 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : onsemi / Fairchild fqpf3n80c-d.pdf MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.98 грн
50+80.85 грн
100+69.11 грн
250+69.04 грн
500+63.92 грн
1000+56.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199086BB7034259&compId=FQPF3N80C.pdf?ci_sign=3c892c6274cd4774a9c9b414539833112cdefe4e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+126.58 грн
13+72.69 грн
35+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : ONSEMI 1847582.pdf Description: ONSEMI - FQPF3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.90 грн
10+125.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199086BB7034259&compId=FQPF3N80C.pdf?ci_sign=3c892c6274cd4774a9c9b414539833112cdefe4e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+151.90 грн
13+90.58 грн
35+82.59 грн
2000+79.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf3n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf3n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C
Код товару: 188274
Додати до обраних Обраний товар

fqpf3n80c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf3n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf3n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.