
FQPF3N80C ON Semiconductor
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 61.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF3N80C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF3N80C за ціною від 53.86 грн до 138.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQPF3N80C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V |
на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQPF3N80C | Виробник : ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 39 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQPF3N80C | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
FQPF3N80C Код товару: 188274
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FQPF3N80C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.9A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Gate charge: 16.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: QFET® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FQPF3N80C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.9A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Gate charge: 16.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: QFET® |
товару немає в наявності |