
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 262.64 грн |
10+ | 233.51 грн |
25+ | 191.28 грн |
100+ | 163.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF47P06YDTU onsemi / Fairchild
Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO220F-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF47P06YDTU
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF47P06YDTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FQPF47P06YDTU | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |