Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQPF5N50CYDTU
FQPF5N50CYDTU

FQPF5N50CYDTU Fairchild Semiconductor

FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Packaging: Bulk
на замовлення 34463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
320+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF5N50CYDTU Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції FQPF5N50CYDTU за ціною від 54.17 грн до 127.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : ON Semiconductor fqpf5n50c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 32951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
461+75.91 грн
512+68.33 грн
1000+63.01 грн
10000+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 461
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : ON Semiconductor fqpf5n50c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
461+75.91 грн
Мінімальне замовлення: 461
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : onsemi / Fairchild FQPF5N50C_D-2313714.pdf MOSFET 500V N-Channel QFET
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.66 грн
10+113.82 грн
25+92.70 грн
100+79.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : onsemi FQP5N50C%2C%20FQPF5N50C.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : ONSEMI FQP5N50C%2C%20FQPF5N50C.pdf FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.