
FQPF5N50CYDTU ONSEMI

Description: ONSEMI - FQPF5N50CYDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.14 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.14ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 35036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 30.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF5N50CYDTU ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF5N50CYDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.14 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.14ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FQPF5N50CYDTU за ціною від 63.93 грн до 134.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF5N50CYDTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 3077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
FQPF5N50CYDTU | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 33950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQPF5N50CYDTU | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FQPF5N50CYDTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FQPF5N50CYDTU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FQPF5N50CYDTU | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FQPF5N50CYDTU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |