Продукція > ONSEMI > FQPF5N50CYDTU
FQPF5N50CYDTU

FQPF5N50CYDTU ONSEMI

FAIRS27140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF5N50CYDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.14 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.14ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 35036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF5N50CYDTU ONSEMI

Description: ONSEMI - FQPF5N50CYDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.14 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.14ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FQPF5N50CYDTU за ціною від 65.60 грн до 136.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 34463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
320+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : onsemi / Fairchild FQPF5N50C_D-2313714.pdf MOSFET 500V N-Channel QFET
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.30 грн
10+121.52 грн
25+98.97 грн
100+84.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTU Виробник : FAIRCHILD FQP5N50C%2C%20FQPF5N50C.pdf FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 33950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
332+91.94 грн
500+82.75 грн
1000+76.31 грн
10000+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 332
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTU Виробник : FAIRCHILD FQP5N50C%2C%20FQPF5N50C.pdf FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
332+91.94 грн
Мінімальне замовлення: 332
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : ON Semiconductor fqpf5n50c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : ONSEMI FQP5N50C%2C%20FQPF5N50C.pdf FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : onsemi FQP5N50C%2C%20FQPF5N50C.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : ONSEMI FQP5N50C%2C%20FQPF5N50C.pdf FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.