FQPF5N60CYDTU Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF5N60CYDTU Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF5N60CYDTU за ціною від 73.68 грн до 88.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQPF5N60CYDTU | ON Semiconductor |
FQPF5N60CYDTU |
на замовлення 2878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FQPF5N60CYDTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
FQPF5N60CYDTU
FQPF5N60CYDTU
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 399+ | 88.76 грн |
| 500+ | 79.89 грн |
| 1000+ | 73.68 грн |


