Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQPF5N80
FQPF5N80

FQPF5N80 Fairchild Semiconductor

FAIRS09677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
360+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 360
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF5N80 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FQPF5N80 за ціною від 103.70 грн до 115.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF5N80 Виробник : ON Semiconductor FAIRS09677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQPF5N80.pdf FQPF5N80
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
307+115.22 грн
500+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N80 FAIRS09677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQPF5N80.pdf
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N80 FQPF5N80 Виробник : onsemi FQPF5N80.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N80 FQPF5N80 Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS09677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQPF5N80.pdf MOSFETs 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.