Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQPF5N80
FQPF5N80

FQPF5N80 Fairchild Semiconductor

FAIRS09677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
360+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 360
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF5N80 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF5N80

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQPF5N80 FAIRS09677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF5N80 FQPF5N80 Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS09677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET 800V N-Channel QFET
товар відсутній