Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FQPF5N90

FQPF5N90 onsemi / Fairchild

Name: FQPF5N90
Brand: onsemi / Fairchild
SKU: 4882695-4
Price: 481.38 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 900V N-Channel QFET

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	240.69 грн
10+	214.01 грн
25+	176.34 грн
100+	149.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FQPF5N90 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 51W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FQPF5N90

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FQPF5N90	Виробник : FSC	TO220F	на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FQPF5N90	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FQPF5N90	Виробник : ONSEMI	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A; 51W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.9A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 51W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.