Продукція > ONSEMI > FQPF5P20
FQPF5P20

FQPF5P20 onsemi

FAIR-S-A0002363652-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
553+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 553
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF5P20 onsemi

Description: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF5P20 за ціною від 21.57 грн до 96.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQPF5P20 FQPF5P20 Виробник : onsemi / Fairchild FQPF5P20RDTU_D-1809713.pdf MOSFET 200V P-Channel QFET
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.58 грн
10+ 86.76 грн
100+ 58.08 грн
500+ 47.93 грн
1000+ 40.72 грн
2000+ 38.32 грн
5000+ 37.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQPF5P20 Виробник : ONSEMI FQPF5P20RDTU-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF5P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.4 A, 1.1 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 35
FQPF5P20 FQPF5P20 Виробник : ON Semiconductor 3671768327068184fqpf5p20rdtu-d.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FQPF5P20 FQPF5P20 Виробник : onsemi FAIR-S-A0002363652-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товар відсутній