Продукція > ONSEMI > FQPF630
FQPF630

FQPF630 onsemi

fqpf630-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
464+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 464
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF630 onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.15A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF630 за ціною від 55.72 грн до 78.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF630 FQPF630 Виробник : ON Semiconductor fqpf630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
536+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 536
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630 FQPF630 Виробник : ON Semiconductor fqpf630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
536+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 536
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630 FQPF630 Виробник : onsemi / Fairchild FQPF630_D-2314133.pdf MOSFET 200V N-Channel QFET
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630 Виробник : FAIRCHILD fqpf630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
396+78.09 грн
500+70.28 грн
Мінімальне замовлення: 396
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630 Виробник : FAIRCHILD fqpf630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 11245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
396+78.09 грн
500+70.28 грн
1000+64.82 грн
10000+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 396
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630 Виробник : FSC fqpf630-d.pdf 09+ TO220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630 FQPF630 Виробник : ON Semiconductor fqpf630jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630 FQPF630 Виробник : onsemi fqpf630-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.