
FQPF630 onsemi

Description: MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
464+ | 47.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF630 onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.15A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF630 за ціною від 56.96 грн до 56.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF630 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
FQPF630 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
FQPF630 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
FQPF630 | Виробник : FSC |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
![]() |
FQPF630 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FQPF630 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.15A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |