Продукція > Транзистори > IGBT > FQPF6N60
FQPF6N60

FQPF6N60

FAIRS07077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 48047
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQPF6N60 за ціною від 100.98 грн до 139.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQPF6N60 FQPF6N60 Fairchild Semiconductor FAIRS07077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60 ON Semiconductor FAIRS07077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQPF6N60
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.94 грн
500+125.83 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60 ONSEMI FAIRS07077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FQPF6N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60 FAIRS07077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF6N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
202+100.98 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60 FAIRS07077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
FQPF6N60
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
253+139.94 грн
500+125.83 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N60 FAIRS07077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF6N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.