Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQPF6N80C
FQPF6N80C

FQPF6N80C ON Semiconductor

fqpf6n80c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+98.45 грн
500+94.26 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF6N80C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 51W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF6N80C за ціною від 77.98 грн до 221.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF6N80C FQPF6N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf6n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+183.61 грн
10+179.10 грн
50+101.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80C FQPF6N80C Виробник : onsemi / Fairchild FQPF6N80C_D-2313685.pdf MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.98 грн
10+181.05 грн
50+91.96 грн
100+83.13 грн
500+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80C FQPF6N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf6n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+221.24 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80C FQPF6N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf6n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80C FQPF6N80C
Код товару: 116791
Додати до обраних Обраний товар

fqpf6n80c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80C FQPF6N80C Виробник : onsemi fqpf6n80c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80C FQPF6N80C Виробник : ONSEMI fqpf6n80c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.