Продукція > ONSEMI > FQPF7N65CYDTU
FQPF7N65CYDTU

FQPF7N65CYDTU onsemi


fqpf7n65c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 52651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF7N65CYDTU onsemi

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF7N65CYDTU за ціною від 42.17 грн до 55.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQPF7N65CYDTU FQPF7N65CYDTU Виробник : ON Semiconductor fqpf7n65c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
FQPF7N65CYDTU FQPF7N65CYDTU Виробник : ON Semiconductor fqpf7n65c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
264+45.41 грн
Мінімальне замовлення: 264
FQPF7N65CYDTU FQPF7N65CYDTU Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003584734-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
366+55.91 грн
Мінімальне замовлення: 366
FQPF7N65CYDTU FQPF7N65CYDTU Виробник : ON Semiconductor 3650475271801286fqpf7n65c.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
FQPF7N65CYDTU FQPF7N65CYDTU Виробник : onsemi fqpf7n65c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
товар відсутній
FQPF7N65CYDTU FQPF7N65CYDTU Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584734-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf7n65c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.2A; Idm: 28A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній