
FQPF7N65CYDTU ON Semiconductor
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 41.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF7N65CYDTU ON Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF7N65CYDTU за ціною від 72.00 грн до 75.20 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF7N65CYDTU | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V |
на замовлення 1572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FQPF7N65CYDTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FQPF7N65CYDTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FQPF7N65CYDTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
FQPF7N65CYDTU | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
![]() |
FQPF7N65CYDTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
FQPF7N65CYDTU | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |