FQPF7N80 Fairchild


FQPF7N80.pdf
Виробник: Fairchild

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF7N80 Fairchild

Description: MOSFET N-CH 800V 3.8A TO220F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FQPF7N80

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF7N80 FQPF7N80 Виробник : onsemi FQPF7N80.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80 FQPF7N80 Виробник : onsemi / Fairchild FQPF7N80.pdf MOSFET 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.