Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQPF7P20
FQPF7P20

FQPF7P20 ON Semiconductor

fqpf7p20-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+75.39 грн
2000+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF7P20 ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF7P20 за ціною від 76.81 грн до 179.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQPF7P20 FQPF7P20 onsemi FQPF7P20-D.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.78 грн
50+85.38 грн
100+76.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20 FQPF7P20 onsemi FQPF7P20-D.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 4386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20 Fairchild FQPF7P20-D.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20 ONSEMI 2907444.pdf Description: ONSEMI - FQPF7P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20 FQPF7P20-D.pdf
FQPF7P20
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.78 грн
50+85.38 грн
100+76.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20 FQPF7P20-D.pdf
FQPF7P20
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 4386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20 FQPF7P20-D.pdf
Виробник: Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20 2907444.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF7P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.