
FQPF7P20 ON Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 60.25 грн |
2000+ | 57.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF7P20 ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF7P20 за ціною від 45.24 грн до 186.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF7P20 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V |
на замовлення 7663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQPF7P20 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 5290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FQPF7P20 | Виробник : ONSEMI |
![]() Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 45 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 45 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQPF7P20 | Виробник : Fairchild |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQPF7P20 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 510 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
FQPF7P20 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FQPF7P20 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FQPF7P20 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.3A Pulsed drain current: -20.8A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FQPF7P20 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.3A Pulsed drain current: -20.8A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |