Продукція > ON-SEMICODUCTOR > FQPF8N80C

FQPF8N80C ON-Semicoductor

FAIRS46449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,55Ohm; 8A; 59W; -55°C ~ 150°C; FQPF8N80C TFQPF8n80c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+118.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF8N80C ON-Semicoductor

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF8N80C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R
Код товару: 122019
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80C FQPF8N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf8n80cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80C FQPF8N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf8n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80C FQPF8N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf8n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80C FQPF8N80C Виробник : onsemi FAIRS46449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80C FQPF8N80C Виробник : onsemi / Fairchild FQPF8N80C_D-1810100.pdf MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.