FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R - Транзисторы - Полевые N-канальные

FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R

Код товара: 122019
Производитель:
Транзисторы - Полевые N-канальные

В наличии/под заказ

Техническое описание FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R

Цена FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R от 36.39 грн до 108.96 грн

FQPF8N80C
Производитель: FAIRCHILD
N-MOSFET 8A 800V 59W 1.55? Trans. FQPF8N80C TO220iso TFQPF8n80c
количество в упаковке: 10 шт
htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 50 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
10+ 37.26 грн
FQPF8N80C
Производитель: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 548 шт
срок поставки 6-21 дня (дней)
9+ 45.71 грн
FQPF8N80C
Производитель: Rochester Electronics, LLC
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Brand: Fairchild Semiconductor
Part Status: Active
Packaging: Bulk
htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 22600 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
236+ 50.22 грн
FQPF8N80C
Производитель: ON SEMICONDUCTOR
Material: FQPF8N80C THT N channel transistors
htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 709 шт
срок поставки 7-14 дня (дней)
1+ 89.55 грн
4+ 59.55 грн
19+ 56.87 грн
FQPF8N80C
Производитель: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 567 шт
срок поставки 6-21 дня (дней)
4+ 100.16 грн
10+ 71.39 грн
100+ 53.55 грн
250+ 39.69 грн
500+ 36.39 грн
FQPF8N80C
FQPF8N80C
Производитель: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 2866 шт
срок поставки 7-21 дня (дней)
4+ 106.7 грн
10+ 88.79 грн
100+ 60.18 грн
250+ 58.99 грн
FQPF8N80C
FQPF8N80C
Производитель: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Base Part Number: FQPF8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Packaging: Tube
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 348 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
5+ 108.96 грн
10+ 97.78 грн
25+ 85.68 грн
100+ 66.83 грн
FQPF8N80C
Производитель: Rochester Electronics, LLC
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (Max): ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2.05pF @ 25V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220F
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Brand: ON Semiconductor
htmlspecialchars($datasheet_name) 		товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
FQPF8N80C
Производитель:

htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 9000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FQPF8N80C
Производитель: Fairchild

htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 9000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FQPF8N80C
Производитель:

htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 10000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FQPF8N80C
Производитель: ONN

htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 1000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
FQPF8N80C
Производитель: ONN

htmlspecialchars($datasheet_name) 		под заказ 4000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)