FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R - Транзисторы - Полевые N-канальные
FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R
Код товара: 122019
Производитель: Транзисторы - Полевые N-канальные
В наличии/под заказ
Техническое описание FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R
Цена FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R от 36.39 грн до 108.96 грн
FQPF8N80C Производитель: FAIRCHILD N-MOSFET 8A 800V 59W 1.55? Trans. FQPF8N80C TO220iso TFQPF8n80c количество в упаковке: 10 шт ![]() |
под заказ 50 шт ![]() срок поставки 14-28 дня (дней) |
|
|
||||||||||
FQPF8N80C Производитель: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube ![]() |
под заказ 548 шт ![]() срок поставки 6-21 дня (дней) |
|
|
||||||||||
FQPF8N80C Производитель: Rochester Electronics, LLC Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 Brand: Fairchild Semiconductor Part Status: Active Packaging: Bulk ![]() |
под заказ 22600 шт ![]() срок поставки 5-15 дня (дней) |
|
|
||||||||||
FQPF8N80C Производитель: ON SEMICONDUCTOR Material: FQPF8N80C THT N channel transistors ![]() |
под заказ 709 шт ![]() срок поставки 7-14 дня (дней) |
|
|
||||||||||
FQPF8N80C Производитель: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube ![]() |
под заказ 567 шт ![]() срок поставки 6-21 дня (дней) |
|
|
||||||||||
FQPF8N80C Производитель: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series ![]() |
под заказ 2866 шт ![]() срок поставки 7-21 дня (дней) |
|
|
||||||||||
FQPF8N80C Производитель: ON Semiconductor Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F Package / Case: TO-220-3 Full Pack Base Part Number: FQPF8 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V Packaging: Tube Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220F Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 25V Vgs (Max): ±30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V ![]() |
под заказ 348 шт ![]() срок поставки 5-15 дня (дней) |
|
|
||||||||||
FQPF8N80C Производитель: Rochester Electronics, LLC Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 Packaging: Bulk Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2.05pF @ 25V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-220F Package / Case: TO-220-3 Full Pack Brand: ON Semiconductor ![]() |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
|
|||||||||||
FQPF8N80C Производитель: ![]() |
под заказ 9000 шт ![]() срок поставки 14-28 дня (дней) |
|
|
||||||||||
FQPF8N80C Производитель: Fairchild ![]() |
под заказ 9000 шт ![]() срок поставки 14-28 дня (дней) |
|
|
||||||||||
FQPF8N80C Производитель: ![]() |
под заказ 10000 шт ![]() срок поставки 14-28 дня (дней) |
|
|
||||||||||
FQPF8N80C Производитель: ONN ![]() |
под заказ 1000 шт ![]() срок поставки 14-28 дня (дней) |
|
|
||||||||||
FQPF8N80C Производитель: ONN ![]() |
под заказ 4000 шт ![]() срок поставки 14-28 дня (дней) |
|
|