FQPF8N80CYDTU Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 249+ | 91.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF8N80CYDTU Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF8N80CYDTU за ціною від 94.59 грн до 199.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF8N80CYDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
на замовлення 9068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FQPF8N80CYDTU | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FQPF8N80CYDTU | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
FQPF8N80CYDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FQPF8N80CYDTU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 59W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 59W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.55Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FQPF8N80CYDTU | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FQPF8N80CYDTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET HIGH VOLTAGE |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FQPF8N80CYDTU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 59W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 59W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.55Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |