FQPF8N90C Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 161+ | 125.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF8N90C Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220F, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції FQPF8N90C за ціною від 125.03 грн до 208.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF8N90C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk |
на замовлення 16054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQPF8N90C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FQPF8N90C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 8684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FQPF8N90C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FQPF8N90C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQPF8N90C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET QFC 900V 1.9OHM D2PAK |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FQPF8N90C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
товару немає в наявності |