
на замовлення 549 шт:
термін постачання 64-73 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.03 грн |
10+ | 112.52 грн |
100+ | 76.51 грн |
500+ | 62.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF9N25C onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF9N25C
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FQPF9N25C | Виробник : Fairchild |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
FQPF9N25C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
FQPF9N25C | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
FQPF9N25C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |