Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF9N25CT onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FQPF9N25CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.8 A, 0.35 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250, Dauer-Drainstrom Id: 8.8, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 38, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQPF9N25CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF9N25CT | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220FInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FQPF9N25CT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF9N25CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.8 A, 0.35 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 8.8 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 38 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 38 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FQPF9N25CT | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| FQPF9N25CT | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FQPF9N25CT |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FQPF9N25CT |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF9N25CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.8 A, 0.35 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF9N25CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.8 A, 0.35 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FQPF9N25CT |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FQPF9N25CT |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.