на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.18 грн |
| 10+ | 117.60 грн |
| 100+ | 79.45 грн |
| 500+ | 65.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF9N25CT onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF9N25CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF9N25CT | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FQPF9N25CT | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |