FQPF9N25CYDTU Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 401+ | 49.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF9N25CYDTU Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF9N25CYDTU за ціною від 52.39 грн до 112.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQPF9N25CYDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQPF9N25CYDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQPF9N25CYDTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 250V 8.8A N-Chan |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FQPF9N25CYDTU | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V |
товару немає в наявності |


