Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FQPF9N25CYDTU
FQPF9N25CYDTU

FQPF9N25CYDTU onsemi / Fairchild

FQPF9N25C_D-2313966.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 250V 8.8A N-Chan
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.02 грн
10+105.50 грн
100+71.85 грн
500+59.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF9N25CYDTU onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF9N25CYDTU за ціною від 53.93 грн до 53.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF9N25CYDTU Виробник : FAIRCHILD fqpf9n25c-d.pdf FQPF9N25CYDTU
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
565+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 565
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CYDTU Виробник : FAIRCHILD fqpf9n25c-d.pdf FQPF9N25CYDTU
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
565+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 565
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CYDTU FQPF9N25CYDTU Виробник : ON Semiconductor fqpf9n25cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25CYDTU FQPF9N25CYDTU Виробник : onsemi fqpf9n25c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.