FQPF9N50C Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 216+ | 102.48 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
216 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF9N50C Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF9N50C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF9N50C | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FQPF9N50C |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
MOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.