Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FQPF9N50CF
FQPF9N50CF

FQPF9N50CF

FAIRS46451-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 94298
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FQPF9N50CF за ціною від 69.83 грн до 152.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQPF9N50CF FQPF9N50CF Fairchild Semiconductor FAIRS46451-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 103280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CF FQPF9N50CF ON-Semiconductor info-tfqpf9n50cf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQPF9N50CF TFQPF9n50cf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+152.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CF FQPF9N50CF ON-Semiconductor info-tfqpf9n50cf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQPF9N50CF TFQPF9n50cf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+152.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CF FQPF9N50CF ONSEMI ONSM-S-A0003584420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQPF9N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CF FAIRS46451-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF9N50CF
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 103280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
281+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CF info-tfqpf9n50cf.pdf
FQPF9N50CF
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQPF9N50CF TFQPF9n50cf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+152.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CF info-tfqpf9n50cf.pdf
FQPF9N50CF
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQPF9N50CF TFQPF9n50cf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+152.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CF ONSM-S-A0003584420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQPF9N50CF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF9N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.