FQPF9N50CF Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 151282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
413+ | 48.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF9N50CF Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF9N50CF за ціною від 43.37 грн до 123.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQPF9N50CF | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 9033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
FQPF9N50CF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF9N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 9 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 44 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 44 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
FQPF9N50CF | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQPF9N50CF TFQPF9n50cf кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
FQPF9N50CF | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQPF9N50CF TFQPF9n50cf кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
FQPF9N50CF Код товару: 94298 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||
FQPF9N50CF | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||
FQPF9N50CF | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/500V/9A/ QFET C-Series |
товар відсутній |