
FQPF9P25 ON Semiconductor
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 75.69 грн |
10+ | 70.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF9P25 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQPF9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 6 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FQPF9P25 за ціною від 71.88 грн до 144.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF9P25 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQPF9P25 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQPF9P25 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
FQPF9P25 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
FQPF9P25 | Виробник : Fairchild |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQPF9P25 | Виробник : FSC |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
FQPF9P25 Код товару: 51667
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
![]() |
FQPF9P25 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FQPF9P25 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |