FQPF9P25YDTU ON Semiconductor
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 58.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF9P25YDTU ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF9P25YDTU за ціною від 62.98 грн до 62.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQPF9P25YDTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
на замовлення 1922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FQPF9P25YDTU | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET QF -250V 620MOHM TO220FYD |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
 |
FQPF9P25YDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
товар відсутній |
|||||
 |
FQPF9P25YDTU | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V |
товар відсутній |