
FQS4903TF onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 185mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 131.31 грн |
10+ | 113.88 грн |
100+ | 91.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQS4903TF onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 185mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції FQS4903TF за ціною від 30.34 грн до 151.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQS4903TF | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 8292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
FQS4903TF | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FQS4903TF | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 185mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |