Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FQT1N60CTF-WS
FQT1N60CTF-WS

FQT1N60CTF-WS onsemi / Fairchild

FQT1N60CTF-WS-D.PDF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
на замовлення 8563 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.95 грн
10+47.45 грн
100+28.15 грн
500+22.87 грн
1000+20.82 грн
2000+18.98 грн
4000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQT1N60CTF-WS onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQT1N60CTF-WS

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQT1N60CTF-WS FQT1N60CTF-WS onsemi fqt1n60ctf-ws-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WS FQT1N60CTF-WS onsemi fqt1n60ctf-ws-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WS ON Semiconductor fqt1n60ctf-ws-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WS ON Semiconductor fqt1n60ctf-ws-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WS fqt1n60ctf-ws-d.pdf
FQT1N60CTF-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WS fqt1n60ctf-ws-d.pdf
FQT1N60CTF-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WS fqt1n60ctf-ws-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WS fqt1n60ctf-ws-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.