FQT1N60CTF-WS ON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 19.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQT1N60CTF-WS ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQT1N60CTF-WS за ціною від 17.69 грн до 84.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQT1N60CTF-WS | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQT1N60CTF-WS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 9542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQT1N60CTF-WS | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel |
на замовлення 17783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQT1N60CTF-WS | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 6.2nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FQT1N60CTF-WS | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 6.2nC |
товару немає в наявності |