Продукція > ONSEMI > FQT1N60CTF-WS
FQT1N60CTF-WS

FQT1N60CTF-WS onsemi

fqt1n60ctf-ws-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.73 грн
8000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQT1N60CTF-WS onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-223-4, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FQT1N60CTF-WS за ціною від 16.03 грн до 63.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQT1N60CTF-WS FQT1N60CTF-WS Виробник : onsemi fqt1n60ctf-ws-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.38 грн
10+41.83 грн
100+28.55 грн
500+21.77 грн
1000+19.73 грн
2000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WS FQT1N60CTF-WS Виробник : onsemi / Fairchild FQT1N60CTF-WS-D.PDF MOSFETs 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
на замовлення 8563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.67 грн
10+45.13 грн
100+26.76 грн
500+21.75 грн
1000+19.79 грн
2000+18.05 грн
4000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WS FQT1N60CTF-WS Виробник : ONSEMI FQT1N60CTF-WS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.