FQT1N80TF-WS onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 26.97 грн |
| 8000+ | 24.81 грн |
| 12000+ | 24.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQT1N80TF-WS onsemi
Description: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FQT1N80TF-WS за ціною від 24.63 грн до 102.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQT1N80TF-WS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V |
на замовлення 297797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQT1N80TF-WS | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 800V 0.2A 20Ohm N-Channel |
на замовлення 73335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQT1N80TF-WS | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQT1N80TF-WS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |