Продукція > ONSEMI > FQT1N80TF-WS
FQT1N80TF-WS

FQT1N80TF-WS onsemi

fqt1n80-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+25.94 грн
8000+23.86 грн
12000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQT1N80TF-WS onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: SOT-223-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FQT1N80TF-WS за ціною від 22.79 грн до 108.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS Виробник : onsemi fqt1n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 297797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.61 грн
10+55.54 грн
100+39.11 грн
500+30.99 грн
1000+28.26 грн
2000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS Виробник : onsemi / Fairchild FQT1N80-D.PDF MOSFETs 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
на замовлення 73335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.71 грн
10+59.12 грн
100+36.22 грн
500+30.59 грн
1000+25.95 грн
2000+25.46 грн
4000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS Виробник : onsemi fqt1n80-d.pdf MOSFETs 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
на замовлення 72906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.30 грн
10+67.29 грн
100+39.03 грн
500+30.59 грн
1000+25.95 грн
2000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.