Продукція > ONSEMI > FQT1N80TF-WS
FQT1N80TF-WS

FQT1N80TF-WS onsemi

fqt1n80-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 352000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+26.62 грн
8000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQT1N80TF-WS onsemi

Description: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQT1N80TF-WS за ціною від 27.81 грн до 111.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS onsemi fqt1n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 354303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.59 грн
10+67.68 грн
100+45.09 грн
500+33.21 грн
1000+30.28 грн
2000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS onsemi fqt1n80-d.pdf MOSFETs 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
на замовлення 72906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS onsemi / Fairchild FQT1N80-D.PDF MOSFETs 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
на замовлення 73335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS ONSEMI ONSM-S-A0013297970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WS fqt1n80-d.pdf
FQT1N80TF-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 354303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.59 грн
10+67.68 грн
100+45.09 грн
500+33.21 грн
1000+30.28 грн
2000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WS fqt1n80-d.pdf
FQT1N80TF-WS
Виробник: onsemi
MOSFETs 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
на замовлення 72906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WS FQT1N80-D.PDF
FQT1N80TF-WS
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
на замовлення 73335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WS ONSM-S-A0013297970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQT1N80TF-WS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.