Технічний опис FQT2P25TF ON Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.35A; Idm: -2.2A; 2.5W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -250V, Pulsed drain current: -2.2A, Power dissipation: 2.5W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 4Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 8.5nC, Drain current: -0.35A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FQT2P25TF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQT2P25TF | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
 MOSFET -250V Single |
на замовлення 5916 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
FQT2P25TF | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FQT2P25TF | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 3958 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FQT2P25TF | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.35A; Idm: -2.2A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Pulsed drain current: -2.2A Power dissipation: 2.5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 8.5nC Drain current: -0.35A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
|
|
FQT2P25TF | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.35A; Idm: -2.2A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Pulsed drain current: -2.2A Power dissipation: 2.5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 8.5nC Drain current: -0.35A |
товару немає в наявності |