Інші пропозиції FQT3P20TF за ціною від 21.56 грн до 61.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQT3P20TF | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4 |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQT3P20TF | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4 |
на замовлення 16136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FQT3P20TF | onsemi / Fairchild |
MOSFETs -200V Single |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FQT3P20TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQT3P20TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 670 mA, 2.06 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 670 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.06 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 2570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| FQT3P20TF |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
Description: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 23.85 грн |
| FQT3P20TF |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
Description: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
на замовлення 16136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 61.85 грн |
| 10+ | 52.27 грн |
| 100+ | 40.08 грн |
| 500+ | 29.74 грн |
| 1000+ | 23.79 грн |
| 2000+ | 21.56 грн |
| FQT3P20TF |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -200V Single
MOSFETs -200V Single
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FQT3P20TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT3P20TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 670 mA, 2.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 670
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.06
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FQT3P20TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 670 mA, 2.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 670
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.06
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





