FQT7N10LTF ON Semiconductor
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 16.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQT7N10LTF ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQT7N10LTF за ціною від 16.03 грн до 52.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQT7N10LTF | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQT7N10LTF | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.36A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQT7N10LTF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V |
на замовлення 2391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQT7N10LTF | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 100V Single |
на замовлення 2138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQT7N10LTF | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.36A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQT7N10LTF | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 100V 1.7A FQT7N10LTF TFQT7n10ltf кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQT7N10LTF Код товару: 106433 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
FQT7N10LTF | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FQT7N10LTF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V |
товар відсутній |