Продукція > ONSEMI > FQT7N10LTF
FQT7N10LTF

FQT7N10LTF ONSEMI

2284094.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.78 грн
250+32.51 грн
1000+22.38 грн
2000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQT7N10LTF ONSEMI

Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FQT7N10LTF за ціною від 14.61 грн до 76.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : onsemi / Fairchild FQT7N10LTF-D.pdf MOSFETs 100V Single
на замовлення 24838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.48 грн
10+40.49 грн
100+24.40 грн
500+20.25 грн
1000+18.15 грн
2000+16.72 грн
4000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ONSEMI 2284094.pdf Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.91 грн
50+46.78 грн
250+32.51 грн
1000+22.38 грн
2000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : onsemi fqt7n10ltf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF Виробник : ON-Semiconductor fqt7n10ltf-d.pdf N-MOSFET 100V 1.7A FQT7N10LTF TFQT7n10ltf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF Виробник : ONSEMI fqt7n10ltf-d.pdf FQT7N10LTF SMD N channel transistors
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.30 грн
37+31.12 грн
102+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF
Код товару: 106433
Додати до обраних Обраний товар

fqt7n10ltf-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ON Semiconductor 3671322269675833fqt7n10ltf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : onsemi fqt7n10ltf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.