Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQT7N10LTF
FQT7N10LTF

FQT7N10LTF ON Semiconductor

3671322269675833fqt7n10ltf-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQT7N10LTF ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FQT7N10LTF за ціною від 16.35 грн до 77.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ON Semiconductor 3671322269675833fqt7n10ltf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ONSEMI 2284094.pdf Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.85 грн
250+34.88 грн
1000+24.00 грн
2000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E320B0D5A259&compId=FQT7N10L.pdf?ci_sign=99d44c70f83ffd765252bfe4a7ee06f1f561dc1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.55 грн
11+38.65 грн
25+33.26 грн
50+29.78 грн
100+26.61 грн
250+22.97 грн
500+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E320B0D5A259&compId=FQT7N10L.pdf?ci_sign=99d44c70f83ffd765252bfe4a7ee06f1f561dc1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.66 грн
10+48.16 грн
25+39.91 грн
50+35.73 грн
100+31.93 грн
250+27.56 грн
500+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : onsemi / Fairchild FQT7N10LTF-D.pdf MOSFETs 100V Single
на замовлення 24838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.48 грн
10+45.29 грн
100+27.29 грн
500+22.66 грн
1000+20.30 грн
2000+18.70 грн
4000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ONSEMI 2284094.pdf Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.82 грн
50+47.85 грн
250+34.88 грн
1000+24.00 грн
2000+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : onsemi fqt7n10ltf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.31 грн
10+46.49 грн
100+30.49 грн
500+22.16 грн
1000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF Виробник : ON-Semicoductor fqt7n10ltf-d.pdf N-MOSFET 100V 1.7A FQT7N10LTF TFQT7n10ltf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF
Код товару: 106433
Додати до обраних Обраний товар

fqt7n10ltf-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ON Semiconductor 3671322269675833fqt7n10ltf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : onsemi fqt7n10ltf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.