FQT7N10LTF ON Semiconductor
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 20.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQT7N10LTF ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FQT7N10LTF за ціною від 17.16 грн до 86.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQT7N10LTF | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQT7N10LTF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQT7N10LTF | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V Single |
на замовлення 24838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQT7N10LTF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V |
на замовлення 1431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQT7N10LTF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FQT7N10LTF | Виробник : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 100V 1.7A FQT7N10LTF TFQT7n10ltf кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FQT7N10LTF | Виробник : ONSEMI |
FQT7N10LTF SMD N channel transistors |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FQT7N10LTF Код товару: 106433
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
 |
FQT7N10LTF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FQT7N10LTF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |