Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQT7N10LTF
FQT7N10LTF

FQT7N10LTF ON Semiconductor

3671322269675833fqt7n10ltf-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQT7N10LTF ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FQT7N10LTF за ціною від 16.77 грн до 80.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ON Semiconductor 3671322269675833fqt7n10ltf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : onsemi fqt7n10ltf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.42 грн
8000+17.44 грн
12000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ONSEMI fqt7n10ltf-d.pdf Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.01 грн
250+26.24 грн
1000+22.38 грн
2000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : onsemi / Fairchild FQT7N10LTF_D-2313819.pdf MOSFETs 100V Single
на замовлення 30918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.49 грн
10+43.91 грн
100+26.71 грн
500+21.19 грн
1000+19.42 грн
2000+17.95 грн
4000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E320B0D5A259&compId=FQT7N10L.pdf?ci_sign=99d44c70f83ffd765252bfe4a7ee06f1f561dc1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.85 грн
10+48.97 грн
25+38.70 грн
38+24.22 грн
103+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : onsemi fqt7n10ltf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 25396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.81 грн
10+45.21 грн
100+31.44 грн
500+23.67 грн
1000+21.45 грн
2000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ONSEMI fqt7n10ltf-d.pdf Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.47 грн
50+49.68 грн
250+34.58 грн
1000+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E320B0D5A259&compId=FQT7N10L.pdf?ci_sign=99d44c70f83ffd765252bfe4a7ee06f1f561dc1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.22 грн
10+61.02 грн
25+46.44 грн
38+29.06 грн
103+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF Виробник : ON-Semicoductor fqt7n10ltf-d.pdf N-MOSFET 100V 1.7A FQT7N10LTF TFQT7n10ltf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF Виробник : ON-Semicoductor fqt7n10ltf-d.pdf N-MOSFET 100V 1.7A FQT7N10LTF TFQT7n10ltf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF
Код товару: 106433
Додати до обраних Обраний товар

fqt7n10ltf-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ON Semiconductor 3671322269675833fqt7n10ltf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.