Продукція > ONSEMI > FQT7N10TF
FQT7N10TF

FQT7N10TF onsemi

fqt7n10-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+18.97 грн
8000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQT7N10TF onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: SOT-223-4, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FQT7N10TF за ціною від 17.15 грн до 49.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQT7N10TF FQT7N10TF onsemi fqt7n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.70 грн
10+41.73 грн
100+28.85 грн
500+22.62 грн
1000+19.25 грн
2000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TF FQT7N10TF onsemi / Fairchild FQT7N10_D-1809903.pdf MOSFET 100V Single
на замовлення 27261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TF FSC fqt7n10-d.pdf 09+ dip
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TF fqt7n10-d.pdf
FQT7N10TF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.70 грн
10+41.73 грн
100+28.85 грн
500+22.62 грн
1000+19.25 грн
2000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TF FQT7N10_D-1809903.pdf
FQT7N10TF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V Single
на замовлення 27261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TF fqt7n10-d.pdf
Виробник: FSC
09+ dip
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.