FQU10N20CTU ON Semiconductor
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 247+ | 50.12 грн | 
| 332+ | 37.23 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU10N20CTU ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V. 
Інші пропозиції FQU10N20CTU за ціною від 43.96 грн до 65.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        FQU10N20CTU | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube         | 
        
                             на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||
| 
             | 
        FQU10N20CTU | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||
                      | 
        FQU10N20CTU | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||
                      | 
        FQU10N20CTU | Виробник : onsemi / Fairchild | 
            
                         MOSFETs N-CH/200V/10A/QFET         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        


