на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 66.7 грн |
10+ | 56.36 грн |
100+ | 37.59 грн |
500+ | 33.25 грн |
1000+ | 29.13 грн |
2500+ | 24.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU11P06TU onsemi / Fairchild
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQU11P06TU за ціною від 56.04 грн до 56.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQU11P06TU | Виробник : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 9.4A 60V 38W 0.185Ω FQU11P06TU TFQU11p06tu кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
FQU11P06TU Код товару: 38375 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||
FQU11P06TU | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||||||
FQU11P06TU | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
товар відсутній |