Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQU17P06TU
FQU17P06TU

FQU17P06TU ON Semiconductor

fqu17p06cn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+46.45 грн
17+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQU17P06TU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQU17P06TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FQU17P06TU за ціною від 28.24 грн до 87.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQU17P06TU FQU17P06TU Виробник : ONSEMI 2304440.pdf Description: ONSEMI - FQU17P06TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.75 грн
16+56.56 грн
100+43.53 грн
500+35.17 грн
1000+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TU FQU17P06TU Виробник : ON Semiconductor fqu17p06.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TU FQU17P06TU Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FQU17P06-D-1809790.pdf MOSFET -60V Single
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TU FQU17P06TU Виробник : ON Semiconductor fqu17p06cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TU FQU17P06TU Виробник : ON Semiconductor fqu17p06cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TU FQU17P06TU Виробник : ON Semiconductor fqu17p06cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TU Виробник : Fairchild FQU17P06-D.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU17P06TU TFQU17p06tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TU Виробник : Fairchild FQU17P06-D.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU17P06TU TFQU17p06tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TU
Код товару: 126647
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ON fqu17p06-1306249.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 7,6 A
Rds(on),Om: 0,135 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/21
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+40.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TU FQU17P06TU Виробник : onsemi FQU17P06-D.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU17P06TU FQU17P06TU Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199E1B432970259&compId=FQU17P06TU.pdf?ci_sign=339617491044a7de05d7e8fb79861f4b11f55650 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.