FQU17P06TU ON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 47.89 грн |
| 17+ | 43.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU17P06TU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQU17P06TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQU17P06TU за ціною від 25.00 грн до 90.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQU17P06TU | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQU17P06TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 4797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQU17P06TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 4160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
FQU17P06TU | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET -60V Single |
на замовлення 4710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
FQU17P06TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
FQU17P06TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
FQU17P06TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| FQU17P06TU | Виробник : Fairchild |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU17P06TU TFQU17p06tu кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| FQU17P06TU | Виробник : Fairchild |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU17P06TU TFQU17p06tu кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
FQU17P06TU Код товару: 126647
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ON |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-251 Uds,V: 60 V Id,A: 7,6 A Rds(on),Om: 0,135 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 690/21 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||
 |
FQU17P06TU | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |