на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.8 грн |
| 10+ | 44.99 грн |
| 100+ | 30.95 грн |
| 250+ | 30.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU1N60CTU onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK, Packaging: Tube, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQU1N60CTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQU1N60CTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 5040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FQU1N60CTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||
| FQU1N60CTU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 28W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11.5Ω Mounting: THT Gate charge: 6.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
FQU1N60CTU | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
| FQU1N60CTU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 28W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11.5Ω Mounting: THT Gate charge: 6.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |