Продукція > ONSEMI > FQU2N100TU
FQU2N100TU

FQU2N100TU onsemi


fqu2n100-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
на замовлення 1608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.11 грн
10+98.77 грн
100+77.01 грн
500+59.70 грн
1000+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQU2N100TU onsemi

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 1A, Power dissipation: 50W, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 9Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції FQU2N100TU за ціною від 27.63 грн до 128.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQU2N100TU FQU2N100TU Виробник : onsemi / Fairchild FQU2N100_D-1809847.pdf MOSFET 1000V/1.6A/N-CH
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.43 грн
10+113.10 грн
100+77.06 грн
500+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TU Виробник : Fairchild fqu2n100-d.pdf N-MOSFET 1.6A 1000V 50W 9Ω FQU2N100TU TFQU2n100tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TU Виробник : ONSEMI fqu2n100-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TU Виробник : ONSEMI fqu2n100-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.