
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.11 грн |
10+ | 98.77 грн |
100+ | 77.01 грн |
500+ | 59.70 грн |
1000+ | 47.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU2N100TU onsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 1A, Power dissipation: 50W, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 9Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FQU2N100TU за ціною від 27.63 грн до 128.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQU2N100TU | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
FQU2N100TU | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQU2N100TU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A Power dissipation: 50W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
FQU2N100TU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A Power dissipation: 50W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |