на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 104.19 грн |
| 10+ | 89.4 грн |
| 100+ | 69.7 грн |
| 500+ | 54.04 грн |
| 1000+ | 42.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU2N100TU onsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 1A, Power dissipation: 50W, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 9Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FQU2N100TU за ціною від 25.07 грн до 116.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQU2N100TU | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 1000V/1.6A/N-CH |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FQU2N100TU | Виробник : Fairchild |
N-MOSFET 1.6A 1000V 50W 9Ω FQU2N100TU TFQU2n100tu кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FQU2N100TU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A Power dissipation: 50W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| FQU2N100TU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A Power dissipation: 50W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |