Продукція > FAIRCHILD > FQU2N100TU
FQU2N100TU

FQU2N100TU Fairchild

info-tfqu2n100tu.pdf
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 1.6A 1000V 50W 9Ω FQU2N100TU TFQU2n100tu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQU2N100TU Fairchild

Description: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251, Drain-Source-Spannung Vds: 1, Dauer-Drainstrom Id: 1.6, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, Verlustleistung Pd: 50, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 5, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FQU2N100TU за ціною від 46.00 грн до 112.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQU2N100TU FQU2N100TU onsemi fqu2n100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.36 грн
10+96.41 грн
100+75.17 грн
500+58.27 грн
1000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TU FQU2N100TU onsemi / Fairchild FQU2N100_D-1809847.pdf MOSFET 1000V/1.6A/N-CH
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TU ONSEMI 2907447.pdf Description: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TU fqu2n100-d.pdf
FQU2N100TU
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.36 грн
10+96.41 грн
100+75.17 грн
500+58.27 грн
1000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TU FQU2N100_D-1809847.pdf
FQU2N100TU
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 1000V/1.6A/N-CH
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TU 2907447.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.