FQU2N50BTU_WS Fairchild Semiconductor
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU2N50BTU_WS Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQU2N50BTU_WS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQU2N50BTU-WS | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFET Power MOSFET |
на замовлення 4732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
FQU2N50BTU-WS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FQU2N50BTU-WS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |