Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FQU2N90TU-WS
FQU2N90TU-WS

FQU2N90TU-WS onsemi / Fairchild

FQU2N90TU_AM002_D-1809694.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 900V 1.7A 7.2Ohm N-Channel
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.73 грн
10+100.70 грн
100+67.87 грн
500+56.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQU2N90TU-WS onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQU2N90TU-WS за ціною від 34.23 грн до 116.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQU2N90TU-WS FQU2N90TU-WS Виробник : onsemi fqu2n90tu_am002-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 8187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.77 грн
70+56.50 грн
140+51.32 грн
560+40.50 грн
1050+37.77 грн
2030+35.32 грн
5040+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU_WS FQU2N90TU_WS Виробник : Fairchild Semiconductor FQU2N90TU_AM002.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-WS FQU2N90TU-WS Виробник : ON Semiconductor fqu2n90tu_am002-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-WS FQU2N90TU-WS Виробник : onsemi fqu2n90tu_am002-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N90TU-WS Виробник : ONSEMI fqu2n90tu_am002-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 7.2Ω
Drain current: 1.08A
Pulsed drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 900V
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.