Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQU3N40TU
FQU3N40TU

FQU3N40TU Fairchild Semiconductor

FAIRS18449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
523+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 523
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQU3N40TU Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: IPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FQU3N40TU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQU3N40TU FAIRS18449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQD3N40%2C%20FQU3N40.pdf
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N40TU FQU3N40TU Виробник : onsemi FQD3N40%2C%20FQU3N40.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.