FQU3N50CTU

FQU3N50CTU Fairchild Semiconductor


FAIRS46458-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
на замовлення 1320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
720+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 720
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQU3N50CTU Fairchild Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 10A; 35W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 1.5A, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.5Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 35W, Gate charge: 13nC, Pulsed drain current: 10A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції FQU3N50CTU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQU3N50CTU FQU3N50CTU Виробник : onsemi / Fairchild FQU3N50C_D-2313820.pdf MOSFET 500V N-Channel Adv QFET C-series
на замовлення 15110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N50CTU Виробник : ONSEMI FAIRS46458-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 10A; 35W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 35W
Gate charge: 13nC
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU3N50CTU Виробник : ONSEMI FAIRS46458-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 10A; 35W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 35W
Gate charge: 13nC
Pulsed drain current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.