
FQU3N50CTU Fairchild Semiconductor
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
720+ | 32.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU3N50CTU Fairchild Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 10A; 35W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 1.5A, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.5Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 35W, Gate charge: 13nC, Pulsed drain current: 10A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FQU3N50CTU
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQU3N50CTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 15110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
FQU3N50CTU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 10A; 35W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 35W Gate charge: 13nC Pulsed drain current: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
FQU3N50CTU | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 10A; 35W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 35W Gate charge: 13nC Pulsed drain current: 10A |
товару немає в наявності |