Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQU3N60TU

FQU3N60TU Fairchild Semiconductor

Name: FQU3N60TU
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 11540238-3
Price: 22842.56 UAH
Availability: InStock

FAIRS18463-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 21754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
544+	41.99 грн

Мінімальне замовлення: 544

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FQU3N60TU Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQU3N60TU

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FQU3N60TU			на замовлення 4313 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FQU3N60TU	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FQU3N60TU	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.