FQU4N50TU-WS

FQU4N50TU-WS onsemi / Fairchild


FQU4N50TU_WS_D-1809905.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM
на замовлення 3458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.20 грн
10+72.16 грн
100+48.95 грн
500+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQU4N50TU-WS onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQU4N50TU-WS

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQU4N50TU_WS FQU4N50TU_WS Виробник : Fairchild Semiconductor FQU4N50TU_WS.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU-WS FQU4N50TU-WS Виробник : ON Semiconductor fqu4n50tu_ws.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU-WS Виробник : ONSEMI fqu4n50tu-ws-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.64A
Pulsed drain current: 10.4A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU-WS FQU4N50TU-WS Виробник : onsemi fqu4n50tu-ws-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU4N50TU-WS Виробник : ONSEMI fqu4n50tu-ws-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.64A
Pulsed drain current: 10.4A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.