FQU5N40TU Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 36535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 535+ | 39.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU5N40TU Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - FQU5N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.4 A, 1.27 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FQU5N40TU за ціною від 21.22 грн до 109.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQU5N40TU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQU5N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.4 A, 1.27 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQU5N40TU | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 400V N-Channel QFET |
на замовлення 4404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FQU5N40TU |
|
на замовлення 2030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
FQU5N40TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FQU5N40TU | Виробник : ONSEMI |
FQU5N40TU THT N channel transistors |
товару немає в наявності |