FR307G Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1250+ | 9.91 грн |
2500+ | 8.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FR307G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - FR307G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.3V, Sperrverzögerungszeit: 500ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: FR30xG, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FR307G за ціною від 4.74 грн до 39.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FR307G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO27; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 0.5µs |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FR307G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO27; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FR307G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 3748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FR307G | Виробник : Rectron | Rectifiers 3A 1000V |
на замовлення 11136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FR307G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - FR307G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 125 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: FR30xG productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FR307G | Виробник : Rectron | Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FR307G | Виробник : EIC Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 3A 500ns 2-Pin DO-201AD |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FR307G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 3A 500ns 2-Pin DO-201AD |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FR307G | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 700 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FR307G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 500ns, 3A, 1000V, Fast Recovery Rectifier |
товар відсутній |