| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.38 грн |
| 10+ | 44.91 грн |
| 100+ | 25.45 грн |
| 500+ | 19.53 грн |
| 1000+ | 17.70 грн |
| 2500+ | 16.02 грн |
| 5000+ | 14.33 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FR606-G Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: R-6, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 500 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: R-6, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 560 V.
Інші пропозиції FR606-G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FR606G | SMC Diode Solutions |
 Description: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 560 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FR606G |
|
Виробник: SMC Diode Solutions
Description: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 560 V
Description: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 560 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.